中頻磁控鍍膜設備濺射技術已漸成為濺射鍍膜的主流技術,它優于直流磁控濺射鍍膜的特點是克服了陽極消失現象;減弱或消除靶的異?;」夥烹?。因此,提高了濺射過程的工藝穩定性,同時,提高了介質膜的沉積速率數倍。
最新研發平面靶,圓柱靶,孿生靶,對靶等多種形式的中頻濺射靶結構和布局。該類設備廣泛應用于表殼、表帶、手機殼、高爾夫球具、五金、餐具等鍍TiN、TiC、TICN、TiAIN、CrN等各種裝飾鍍層。
真空室尺寸 | Ф800×H900mm | Ф1100×H1200mm | Ф1350×H1250mm | Ф1600×H1250mm | Ф1900×H1250mm |
制膜種類 | 多功能金屬膜、復合膜、透明導電膜、增返射膜、電磁屏蔽膜、裝飾膜等 | ||||
電源類型 | 直流磁控電源、中頻磁控電源電源、高壓離子轟擊電源 | ||||
靶類型 | 直流磁控靶、中頻孿生靶、平面靶、圓柱靶 | ||||
真空室結構 | 立式雙開門、立式單開門 | ||||
真空系統 | 機械泵+羅茨泵+擴散泵+維持泵(或選配:分子泵、深冷系統) | ||||
充氣系統 | 質量流量控制儀(1-4路) | ||||
極限真空 | 6×10-4pa(空載、凈室) | ||||
抽氣時間 | 空載大氣抽至5×10-3pa小于13分鐘 | ||||
工件旋轉方式 | 6軸/8軸/9軸公自轉/變頻無級調速 | ||||
控制方式 | 手動+半自動+全自動一體化/觸摸屏+PLC | ||||
備注 | 真空室尺寸可按客戶產品及特殊工藝要求訂做 |
該類設備廣泛應用于表殼、表帶、手機殼、高爾夫球具、五金、餐具等鍍TiN、TiC、TICN、TiAIN、CrN等各種裝飾鍍層。